重大突破

近日，美国多家媒体报道了麻省理工学院（MIT）研究团队的最新研究成果。该团队开发出了一种不同于以往的全新技术，可以将低温生长区与高温硫化物前体分解区分离，并通过金属有机化学气相沉积法，以低于300℃的温度合成二维材料，然后直接在8英寸的二硫化钼薄膜CMOS晶圆上生长！简单的来说，这项技术就像该大楼一样，以前的芯片只能建一层，但是有了这项技术，就可以在原有的基础上建造更高的楼层。如果这项技术成熟并大